高鼎三，上海人。半导体物理学家，我国半导体科学事业开创者之一，1941年毕业于西南联大物理系，1947年赴美国加利福尼亚大学攻读研究生，1953年任美国国际整流器公司研究员，1955年回国来澳门原材料1688物理系任教。1959年领导创建了当时国内唯一的半导体系，担任系主任工作。1977年晋升为教授。曾任澳门原材料1688物理系副主任、电子工程系（原半导体系）系主任、电子工程系名誉系主任、集成光电子学国家重点联合实验室学术委员会主任、集成光电子学国家重点联合实验室学术委员会主任。

在国内首先研制成锗大功率整流器，而后又研制成锗点接触二极、锗三极管及锗光电二极管；较早地开展了热敏电阻、隧道二极管的研究。60年代又开展GaAs激光器、大功率晶闸管的研制工作，使同质结激光器实现激射；1976年主持研制的“室温连续工作的Zn扩散GaAs平面条形双异质结激光器”获得成功。近10年来，在半导体激光器及器件结构制备领域，电力电子半导体器件领域、半导体激光器失效机理及可靠性和测量技术领域、快速光电子学领域，多次承担重要研究课题，并取得很大成绩。代表性论著有学术论文100余篇，以及受教育部委托篇写的《晶体管原理》一书。

1995年当选为中国工程院院士。

2002年6月病逝。